me_edu
Электроника: фундаментальный курс (2–3 года)Шаг 123 из 265 · 0% пройдено
36. Фазовая автоподстройка частоты (ФАПЧ / PLL)
54. Программирование МК: тулчейн, прошивка, отладка, ОСРВ
Полевые транзисторы: JFET и MOSFET · Полевые транзисторы: JFET и MOSFET

MOSFET: обогащение и обеднение

MOSFET бывает двух типов по характеру канала: • обогащённого типа (enhancement): при нулевом напряжении затвор-исток канала нет, транзистор закрыт; канал появляется, когда U_ЗИ превышает пороговое напряжение U_порог (U_th). Именно такие применяют как ключи в цифровой и силовой технике. • обеднённого типа (depletion): канал есть и при U_ЗИ = 0; напряжением на затворе его можно как обогащать, так и обеднять.

Для n-канального обогащённого MOSFET: при U_ЗИ < U_порог — закрыт; при U_ЗИ > U_порог — открыт, и чем больше превышение, тем сильнее открыт.

Назад

Обсуждение

Войдите, чтобы участвовать в обсуждении.

Пока нет сообщений.