Ключевой параметр малосигнальной модели — крутизна g_m (transconductance): на сколько меняется ток коллектора при изменении U_БЭ.
g_m = I_кп / U_т, где U_т ≈ 26 мВ при комнатной температуре (тепловой потенциал).
Удобно ввести собственное сопротивление эмиттера: r_э = 1 / g_m = U_т / I_кп.
Пример. При I_кп = 1 мА: r_э = 26 мВ / 1 мА = 26 Ом; g_m = 1/26 Ом ≈ 38 мА/В. При I_кп = 2 мА: r_э = 13 Ом.